Los criterios de competencia de los semiconductores para IA se están ampliando desde el simple número de operaciones hacia cuántos datos pueden almacenarse y trasladarse con poca energía. En la inferencia de IA a gran escala, se producen situaciones en las que la GPU queda a la espera, no porque no pueda realizar los cálculos, sino porque no recibe a tiempo los pesos del modelo y la caché KV necesarios.
Este cambio suele describirse como una «transición de un enfoque centrado en la GPU a otro centrado en la memoria». Sin embargo, esto no significa que la GPU vaya a desaparecer o que su desarrollo se haya detenido. Más exactamente, la dirección consiste en codiseñar la GPU, HBM, la memoria externa, el almacenamiento, la red y el software como un único sistema de movimiento de datos.
Qué es la computación centrada en la memoria
La computación centrada en la memoria es un enfoque que toma la ubicación, el ancho de banda, la capacidad y las funciones de cálculo de la memoria como punto de partida del diseño del sistema para reducir el coste de transportar repetidamente los datos hasta la unidad de cálculo.
El rendimiento aritmético de los chips de IA ha aumentado rápidamente, pero el proceso de obtener datos desde fuera del chip es relativamente lento y consume mucha energía. Por ello, las siguientes tecnologías han adquirido importancia de forma conjunta.
- HBM situada cerca de la GPU o del acelerador de IA
- Empaquetado 3D que conecta verticalmente la memoria y la lógica
- HBM personalizada que incorpora funciones de control o parte del cálculo en el die base
- Ampliación y agrupación de memoria mediante CXL
- Concepto de HBF que conecta la memoria flash NAND mediante una interfaz amplia
- Interconexiones ópticas destinadas a reducir la energía de transmisión entre chips y servidores
- PIM y near-memory computing, que procesan los datos cerca de la memoria
Es decir, la expresión «centrado en la memoria» no se refiere a un único producto de memoria específico. Es un principio de sistema que agrupa varias capas, desde la memoria rápida hasta los dispositivos de almacenamiento de gran capacidad, para minimizar el movimiento de datos.
Por qué la inferencia de IA agrava el cuello de botella de la memoria
Los pesos del modelo y la caché KV suponen cargas diferentes
La memoria necesaria para la inferencia de IA se divide principalmente en los pesos del modelo, las activaciones generadas durante la ejecución y la caché KV. Los pesos del modelo ocupan un tamaño fijo incluso cuando no hay solicitudes, mientras que la caché KV aumenta según la longitud de entrada, la longitud de salida y el número de solicitudes simultáneas.
Para evitar recalcular desde el principio los tokens anteriores cada vez, los modelos Transformer almacenan en la caché KV la información de claves y valores de atención de cada capa. De forma simplificada, el tamaño de la caché KV de una solicitud es proporcional a los siguientes elementos.
El tamaño exacto de la caché KV debe comprobarse en la arquitectura y las especificaciones de implementación del modelo.
En la caché KV se almacenan por separado las claves y los valores. Por ello, cuando el contexto se alarga o aumenta el número de usuarios procesados simultáneamente, la caché KV crece con rapidez. No todos los modelos utilizan millones de tokens ni la caché aumenta uniformemente cientos de veces, pero está claro que la inferencia de textos largos y las tareas basadas en agentes elevan la presión sobre la memoria.
Las alucinaciones y la capacidad de memoria no son el mismo problema
Un contexto más largo y la generación aumentada por recuperación pueden proporcionar más fundamentos al modelo. Sin embargo, aumentar la memoria por sí solo no elimina las alucinaciones. También son necesarios la calidad de los resultados de búsqueda, la composición del prompt, la capacidad de razonamiento del modelo, la verificación de las fuentes y un sistema de evaluación.
El software también reduce la demanda de memoria física
El cuello de botella de la caché KV no se resuelve únicamente ampliando el hardware.
- MQA y GQA reducen el número de cabezas KV que deben almacenarse.
- La cuantización reduce el número de bytes de los pesos y la caché.
- PagedAttention gestiona la caché por páginas para mitigar la fragmentación y el desperdicio.
- El batching continuo agrupa eficientemente varias solicitudes.
- El almacenamiento en caché de prefijos reutiliza los prompts del sistema o los contextos comunes que se repiten.
- La eliminación de caché y la descarga por capas trasladan la información menos importante a una memoria más lenta.
Por tanto, la inversión real en memoria de un centro de datos depende no solo del tamaño del modelo, sino también de la eficiencia del motor de inferencia.
La jerarquía de memoria de los centros de datos de IA
Es difícil que una sola memoria satisfaga simultáneamente las exigencias de velocidad, capacidad, precio y eficiencia energética. Es probable que los centros de datos de IA evolucionen hacia la siguiente estructura jerárquica.
| Capa | Tecnología representativa | Ventaja | Principal limitación | Función prevista |
|---|---|---|---|---|
| Dentro del chip | SRAM, registros | La latencia más baja | Capacidad muy reducida y elevado coste de área | Datos de uso inmediato y valores intermedios del cálculo |
| Junto al acelerador | HBM | Gran ancho de banda y latencia relativamente baja | Restricciones de capacidad, coste de empaquetado y temperatura | Pesos activos y caché KV de uso frecuente |
| Memoria del servidor | DDR, memoria conectada mediante CXL | Mayor capacidad de ampliación que HBM | Más alejada del acelerador y con menor ancho de banda | Ampliación de caché, organización del modelo por capas y pool de memoria |
| Flash de gran ancho de banda | Concepto de HBF | Alta densidad basada en NAND y no volatilidad | Latencia de lectura, vida útil de escritura y complejidad de control | Capa para pesos y caché KV de uso menos frecuente |
| Almacenamiento | NVMe SSD | Gran capacidad y bajo coste por bit | Mayor latencia que la memoria | Puntos de control, conjuntos de datos y datos fríos |
La clave no es que HBM o HBF se imponga sobre la otra, sino distribuir varias capas según la frecuencia de uso de los datos.
La competencia de la memoria de próxima generación mostrada en FMS 2026
FMS, celebrado en agosto de 2026 en Santa Clara, Estados Unidos, abordó como tema principal las estructuras de memoria y almacenamiento para IA posteriores a HBM. El debate se centró en un mayor apilamiento, capas de gran capacidad basadas en NAND, memoria personalizada y tecnologías de conexión para centros de datos.
GHBM de Samsung Electronics y HBF, debatida por SK hynix con Google y SanDisk, se presentaron como ejemplos de esta dirección. Sin embargo, es difícil afirmar que denominaciones como GHBM, HBF y THBM sean todas nombres genéricos de generaciones con especificaciones idénticas ya definidas por JEDEC. Es necesario distinguir entre tecnologías en fase de presentación por parte de las empresas, conceptos de desarrollo conjunto y productos comerciales estandarizados.
Además, una generación con una denominación superior no hace necesariamente que el servicio de IA sea más rápido en la práctica. Deben compararse conjuntamente el ancho de banda efectivo, la capacidad de memoria, la latencia, la energía, la refrigeración, el rendimiento de fabricación del paquete y la compatibilidad de software.
Ventajas y límites de capacidad de HBM
HBM apila verticalmente varios dies de DRAM y los conecta mediante vías a través del silicio y una interfaz amplia. Su principal ventaja es que puede suministrar en paralelo una gran cantidad de datos desde una posición más cercana al acelerador que la memoria convencional instalada en placa.
Sin embargo, es difícil aumentar indefinidamente la capacidad de HBM.
- A medida que aumenta el número de capas, se elevan la dificultad del rendimiento de fabricación y de las pruebas.
- Aumenta el área del paquete donde se colocan conjuntamente la GPU y HBM.
- El calor generado por el acelerador y la memoria debe eliminarse en un espacio reducido.
- La red de suministro eléctrico y el cableado del interposer también se vuelven más complejos.
- Utilizar la costosa HBM para almacenar incluso datos de baja frecuencia de uso reduce la rentabilidad.
Por ello, cobra importancia una jerarquización en la que HBM se encargue de los datos utilizados con mayor frecuencia y el resto se transfiera a memoria CXL, flash o SSD.
¿Puede HBF sustituir a HBM?
HBF es la abreviatura de High Bandwidth Flash y constituye un concepto destinado a paralelizar y apilar memoria flash NAND para crear una capa de memoria de gran ancho de banda más cercana al acelerador que los SSD convencionales. Como NAND ofrece mayor densidad y no volatilidad que DRAM, permite albergar más datos en el mismo espacio físico.
Sin embargo, NAND tiene características diferentes a DRAM.
- La latencia de lectura es mayor.
- Requiere un proceso de borrado antes de sobrescribir.
- Es necesario gestionar la vida útil en función del número de escrituras.
- Requiere gestión de bloques defectuosos, corrección de errores y wear leveling.
- Resulta más adecuada para accesos secuenciales en unidades grandes que para accesos irregulares en unidades pequeñas.
Por tanto, aunque HBF se comercialice, es más probable que funcione como una capa de gran capacidad entre HBM y SSD que como un reemplazo directo de HBM. Entre sus posibles usos se encuentran los pesos de modelos centrados en la lectura, las cachés con una baja frecuencia de reutilización, los puntos de control y los datos de búsqueda. Su idoneidad real dependerá del estándar de interfaz, la latencia, la durabilidad y la compatibilidad del controlador y del software de inferencia.
El problema del empaquetado 3D planteado por GHBM y THBM
El método de colocar el acelerador y HBM en paralelo, uno junto al otro dentro del paquete, presenta límites en la anchura de la conexión y el área del paquete. Para superarlos, han surgido conceptos que apilan verticalmente la lógica y la memoria para reducir la longitud del cableado.
Estructura que coloca la memoria sobre la GPU
El concepto presentado como GHBM o HBM en el eje Z busca reducir la distancia de movimiento de los datos mediante la integración vertical de la GPU y HBM. Las numerosas conexiones verticales cortas permiten esperar un gran ancho de banda y un bajo consumo energético de entrada y salida.
El problema es el calor. Si la memoria se coloca sobre la GPU, el calor generado por esta puede atravesar el espacio entre la memoria y el dispositivo de refrigeración. La expresión «la memoria se derrite» es más bien una metáfora para destacar el problema térmico que una explicación técnica. Los riesgos reales son superar la temperatura permitida de las uniones y la memoria, el aumento de la corriente de fuga, la limitación del rendimiento y la reducción de la vida útil.
Estructura con la memoria debajo y la GPU encima
THBM, que según se ha informado fue propuesta por el equipo del profesor Kim Jeong-ho de KAIST, parte de la idea de colocar la GPU sobre la pila de HBM para situar la lógica que genera más calor más cerca del dispositivo de refrigeración. Esto puede favorecer la disipación térmica, pero quedan los siguientes desafíos.
- Estabilidad mecánica del pesado die lógico y del apilamiento de memoria
- Suministro eléctrico y cableado de señales
- Rendimiento de unión de dies fabricados mediante procesos diferentes
- Posibilidad de sustituir y probar dies defectuosos
- Diseño del paquete, incluida la placa de refrigeración
La competitividad del apilamiento vertical no puede determinarse solo a partir de un diagrama conceptual. Se necesitan resultados que midan la resistencia térmica, el ancho de banda efectivo, el rendimiento de fabricación y el coste total de propiedad.