AI半導体の競争基準は、単純な演算回数から、どれだけ多くのデータを少ない電力で保存し、移動できるかへと拡張されている。大規模なAI推論では、GPUが計算を実行できないのではなく、必要なモデルの重みとKVキャッシュを適時に供給されず、待機する状況が発生する。
この変化は、しばしば「GPU中心からメモリ中心への転換」と表現される。ただし、GPUが消えたり、進化が止まったりしたという意味ではない。より正確には、GPU、HBM、外部メモリ、ストレージ、ネットワーク、ソフトウェアを一つのデータ移動システムとして共同設計する方向である。
メモリ中心コンピューティングとは何か
メモリ中心コンピューティングとは、データを演算器へ繰り返し運ぶコストを削減するため、メモリの位置、帯域幅、容量、演算機能をシステム設計の出発点とするアプローチである。
AIチップの演算処理量は急速に増加したが、チップ外部からデータを取得するプロセスは相対的に遅く、多くの電力を消費する。そのため、次のような技術が併せて重要になっている。
- GPUまたはAIアクセラレーターの近くに配置するHBM
- メモリとロジックを垂直に接続する3Dパッケージング
- ベースダイに制御機能または一部の演算機能を搭載するカスタムHBM
- CXLを利用したメモリ拡張とプーリング
- NANDフラッシュを広幅インターフェースで接続するHBF構想
- チップとサーバー間の伝送電力を低減するための光インターコネクト
- データをメモリの近くで処理するPIMとnear-memory computing
つまり、メモリ中心という表現は、特定のメモリ製品一つを意味するものではない。高速メモリから大容量ストレージまで、複数の階層を束ねてデータ移動を最小化するシステム原則である。
なぜAI推論がメモリのボトルネックを拡大するのか
モデルの重みとKVキャッシュは異なる負担である
AI推論に必要なメモリは、大きくモデルの重み、実行中に生成される活性値、KVキャッシュに分けられる。モデルの重みはリクエストがなくても一定の容量を占めるが、KVキャッシュは入力長、出力長、同時リクエスト数に応じて増加する。
Transformerモデルは、以前のトークンを毎回最初から計算し直さないよう、各レイヤーのAttentionのキーと値の情報をKVキャッシュに保存する。単純化すると、1リクエスト当たりのKVキャッシュ容量は次の要素に比例する。
正確なKVキャッシュ容量は、モデルアーキテクチャと実装仕様で確認する必要がある。
KVキャッシュには、キーと値がそれぞれ保存される。そのため、コンテキストが長くなったり、同時に処理するユーザーが増えたりすると、KVキャッシュは急速に大きくなる。すべてのモデルが数百万トークンを使用したり、キャッシュが一律に数百倍増加したりするわけではないが、長文推論とエージェント型タスクがメモリ圧力を高めるという方向性は明確である。
ハルシネーションとメモリ容量は同じ問題ではない
より長いコンテキストと検索拡張生成は、モデルにより多くの根拠を提供できる。しかし、メモリを増やすだけでハルシネーションがなくなるわけではない。検索結果の品質、プロンプトの構成、モデルの推論能力、出典の検証、評価体系も併せて必要となる。
ソフトウェアが物理メモリの需要を減らすこともある
KVキャッシュのボトルネックは、ハードウェアの増設だけで解決するものではない。
- MQAとGQAは、保存すべきKVヘッド数を減らす。
- 量子化は、重みとキャッシュのバイト数を減らす。
- PagedAttentionは、キャッシュをページ単位で管理し、断片化と無駄を軽減する。
- 継続的バッチ処理は、複数のリクエストを効率よくまとめる。
- プレフィックスキャッシュは、繰り返されるシステムプロンプトや共通コンテキストを再利用する。
- キャッシュの削除と階層別オフロードは、重要度の低い情報をより低速なメモリへ移動させる。
したがって、データセンターの実際のメモリ投資量は、モデルの規模だけでなく、推論エンジンの効率によっても変わる。
AIデータセンターのメモリ階層
一つのメモリですべての速度、容量、価格、電力効率を満たすことは難しい。AIデータセンターは、次のような階層構造へ発展する可能性が高い。
| 階層 | 代表技術 | 強み | 主な限界 | 想定される役割 |
|---|---|---|---|---|
| チップ内部 | SRAM、レジスター | 最も短いレイテンシ | 容量が非常に小さく、面積コストが高い | 直ちに使用するデータと演算中間値 |
| アクセラレーター隣接 | HBM | 高い帯域幅と比較的短いレイテンシ | 容量・パッケージングコスト・熱の制約 | アクティブな重み、頻繁に使用するKVキャッシュ |
| サーバーメモリ | DDR、CXL接続メモリ | HBMより大きな拡張容量 | アクセラレーターから遠く、帯域幅が低い | キャッシュ拡張、モデル階層化、メモリプール |
| 高帯域幅フラッシュ | HBF構想 | NANDベースの高い集積度と不揮発性 | 読み取りレイテンシ、書き込み寿命、制御の複雑性 | 使用頻度の低い重み・KVキャッシュ階層 |
| ストレージ | NVMe SSD | 大容量と低いビット当たりコスト | メモリより長いレイテンシ | チェックポイント、データセット、コールドデータ |
核心は、HBMとHBFのどちらか一方が勝つことではなく、データの使用頻度に応じて複数の階層を配置することである。
FMS 2026が示した次世代メモリ競争
2026年8月に米国サンタクララで開催されたFMSでは、HBM以降のAIメモリとストレージ構造が主要議題として取り上げられた。議論の中心には、より高い積層、NANDベースの大容量階層、カスタムメモリ、データセンター接続技術があった。
Samsung ElectronicsのGHBM、SK hynixがGoogle・SanDiskと議論したHBFなどは、こうした方向性を示す事例として紹介された。ただし、GHBM、HBF、THBMといった名称は、いずれもJEDECで同一仕様として確定された汎用的な世代名だと断定することは難しい。企業の発表段階にある技術、共同開発の概念、標準化された商用製品を区別して捉える必要がある。
また、世代名が上がったからといって、実際のAIサービスが必ず高速化するわけではない。実効帯域幅、メモリ容量、レイテンシ、電力、冷却、パッケージ歩留まり、ソフトウェア対応を併せて比較する必要がある。
HBMの強みと容量の限界
HBMは、複数のDRAMダイを垂直に積層し、シリコン貫通電極と広幅インターフェースで接続する。一般的なボード型メモリよりもアクセラレーターの近くで、多くのデータを並列に供給できることが核心的な利点である。
しかし、HBMの容量を無限に増やすことは難しい。
- 積層数が増加すると、製造歩留まりと検査の難易度が高まる。
- GPUとHBMを一緒に配置するパッケージ面積が大きくなる。
- アクセラレーターとメモリで発生した熱を、狭い空間から除去しなければならない。
- 電力供給網とインターポーザー配線も複雑になる。
- 高価なHBMを使用頻度の低いデータの保存にまで使うと、経済性が低下する。
このため、HBMは最も頻繁に使用するデータを担当し、残りをCXLメモリ、フラッシュ、またはSSDに移す階層化が重要になる。
HBFはHBMを代替できるのか
HBFはHigh Bandwidth Flashの略で、NANDフラッシュを並列化・積層し、従来のSSDよりアクセラレーターに近い高帯域幅メモリ階層を作ろうとする構想である。NANDはDRAMより高い集積度と不揮発性を提供するため、同じ物理空間により多くのデータを収容できる余地がある。
しかし、NANDはDRAMとは特性が異なる。
- 読み取りレイテンシが長い。
- 上書きの前に消去処理が必要である。
- 書き込み回数に応じた寿命管理が必要である。
- 不良ブロック、エラー訂正、ウェアレベリングが必要である。
- 小単位の不規則なアクセスより、大単位のシーケンシャルアクセスに適している。
したがって、HBFが商用化されてもHBMをそのまま置き換えるのではなく、HBMとSSDの間の大容量階層として機能する可能性が高い。読み取り中心のモデルの重み、再利用頻度の低いキャッシュ、チェックポイント、検索データなどが候補になり得る。実際の適合性は、インターフェース規格、レイテンシ、耐久性、コントローラー、推論ソフトウェアの対応に左右される。
GHBMとTHBMが提起する3Dパッケージングの課題
アクセラレーターとHBMをパッケージ上で横並びに配置する方式には、接続幅とパッケージ面積に限界がある。これを克服するため、ロジックとメモリを垂直に積み重ねて配線長を短縮する構想が登場している。
GPUの上にメモリを配置する構造
GHBMまたはZ軸HBMとして紹介される概念は、GPUとHBMを垂直に結合し、データの移動距離を短縮する方向である。短く多数の垂直接続により、高い帯域幅と低い入出力電力が期待される。
問題は熱である。GPUの上にメモリを配置すると、GPUで発生した熱がメモリと冷却装置の間を通過する可能性がある。「メモリが溶ける」という表現は、技術的な説明というよりも、熱問題を強調した比喩に近い。実際のリスクは、接合部とメモリの許容温度超過、リーク電流の増加、性能制限、寿命低下である。
メモリの下、GPUの上という構造
Kim Jung-ho KAIST教授側が提案したとされるTHBMは、HBMスタックの上側にGPUを置き、発熱の大きいロジックを冷却装置により近く配置する発想である。放熱には有利となり得るが、次の課題が残る。
- 重いロジックダイとメモリ積層の機械的安定性
- 電力供給と信号配線
- 異なるプロセスで製造したダイの接合歩留まり
- 不良ダイの交換とテスト可能性
- 冷却板まで含めたパッケージ設計
垂直積層の競争力は、概念図だけでは判断できない。熱抵抗、実効帯域幅、歩留まり、総所有コストを測定した結果が必要である。